外加正向电压时，载流子不断扩散而存储了大量的电荷，因此导致了反向恢复存在一个过程。

　　当外加正向电压时，Ｐ区的空穴向Ｎ区扩散，Ｎ区的电子向Ｐ区扩散。这样，不仅使势垒区（耗尽区）变窄，而且载流子有相当数量的剩余存储，在Ｐ区内存储了电子，而在Ｎ区内存储了空穴，它们都是非平衡少数载流子，如下图4所示。

　　空穴由Ｐ区扩散到Ｎ区后，并不是立即与Ｎ区中的电子复合而消失，而是在一定的扩散长度内，一边继续扩散，一边与电子复合消失。

　　这样就会在扩散长度的范围内存储一定数量的空穴，并形成一定空穴浓度分布，靠近结边缘的浓度最大，离结越远，浓度越小 。

　　当输入电压突然由+VF 变为-VR时，Ｐ区存储的电子和Ｎ区存储的空穴不会马上消失，而是通过以下两个途径逐渐减少：

　　① 在反向电场作用下，Ｐ区电子被拉回Ｎ区，Ｎ区空穴被拉回Ｐ区，形成反向漂移电流IR，如图 6所示；

　　② 与载流子复合，在这些存储电荷消失之前，ＰＮ结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，ＰＮ结的电阻仍很小，与RL相比可以忽略。

　　在经过时间ts 后，Ｐ区和Ｎ区所存储的电荷已显著减小，势垒区逐渐变宽，反向电流IR 逐渐减小到正常反向饱和电流的数值，经过时间tt，二极管转为截止。

　　所以，二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程，实质上由于电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。

　　特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597

　　的电流才成为(-I0) , 如图1 示。ts 称为储存时间,tf 称为下降时间。tr=ts+tf 称为

　　特性，并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597

　　是半导体器件，它是由一对PN结组成的，PN结有电荷存储效应，就是说电荷消失需要一

　　存储了相当数量的电荷。P区内存储了电子，而N区内存储了空穴。这些存储的电荷是非平衡少数载流子，如下图所示。

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　　使用PSoC4 CY8C4248LQI-BL583在初步add file进行编译的时候报错怎么解决？

　　请问为什么我在使用ADAU1452芯片时，数字信号通过SDATA_IN2然后从SDATA_OUT2输出时使用AP采集这两端的THD+N的值不对呢？